表面光电压(SPV)技术是非接触式测量方法，该技术可对光照以后半导体表面的电压变化进行测量，并具有较高的灵敏度。
近年来，表面光电压技术已广泛应用于光解水制氢、太阳能电池、光催化降解、光电气敏以及光电化学水氧化等研究领域中，研究人员利用表面光电压技术与材料领域相结合，可解释相应反应过程中光生电荷的动力学行为，深入了解光生电荷在半导体中分离、传输以及复合过程。
表面光电压技术可以用来确定半导体导电类型、测定少数载流子的扩散距离、表面态参数测定及光生电荷行为，还可以提供半导体材料的电荷跃迁属性、缺陷态、异质结电荷转移、量子尺寸效应、量子限域特性、光生电荷分离、传输及复合等信息。
稳态表面光电压谱仪示意图
● 研究光生电荷行为的一种有效手段，对样品无损且灵敏度高；
通过高精度高灵敏度锁相放大器测量材料表面光电压，测量过程样品无损，测量灵敏度高达108 e-/cm2，优于普通能谱灵敏度3~5个数量级；
● 功能多样，搭配不同测量池可进一步拓展多种功能；
通过测量材料表面光电压，能够鉴定半导体材料的导电类型，测量半导体的禁带宽度，材料改性对表面态属性和位置的影响，区分带带跃迁月前和亚带隙跃迁，区分异质结结构类型，测量载流子的扩散距离与方向；
搭配光电化学池可测量材料在液固相反应过程的光电转换效率；
搭配气固相反应池可以测量不同气体氛围下气固相界面的界面电场以及光电气敏元件的测量。
● 强大的专家技术团队提供可靠的仪器培训、谱图解析和数据分析等服务
我公司与吉林大学王德军、谢腾峰教授拥有着长期深入的合作，可提供仪器使用、谱图解析与数据分析等技术服务。
▲特别适用●较为适用 ○可以使用
▲ 测量光电功能材料的表面光电压
▲ 鉴定半导体材料的导电类型
▲ 测量半导体的禁带宽度
▲ 材料改性对表面态属性和位置的影响
▲ 区分带带月前和亚带隙跃迁
▲ 区分异质结结构类型
▲ 测量载流子的扩散距离与方向
● 计算光电功能材料的光电转化效率
● 测量光电功能材料光反应过程的表面光电流
● 测量不同气体氛围下气固相界面的界面电场
● 测量光电气敏元件
| 光电压测量 | 可测光电压＞ 100 nV | 光谱波长范围：300~1000 nm | 光谱分辨率：2 nm |
| 光电流测量 | 可测光电流＞ 100 pA | 光谱波长范围：300~1000 nm | 光谱分辨率：2 nm |
| 光伏相位谱 | 相检测范围：±180° | 光谱波长范围：300~1000 nm | |
| 光电转化效率（IPCE) | 光谱波长范围：300~1000 nm |
